微弧氧化技術(shù)相信不少了都清楚，為了更好的應(yīng)用該技術(shù)，下面為大家簡(jiǎn)單說一下那些因素會(huì)影響微弧氧化膜層性能。
一、電流密度：
1、電流密度越大，氧化膜的生長(zhǎng)速度越快，膜厚度不斷增加，但易出現(xiàn)燒損現(xiàn)象；
2、隨著電流密度的增加，擊穿電壓也升高，氧化膜表面粗糙度也增加；
3、隨著電流密度的增加，氧化膜硬度增加。
二、氧化時(shí)間：
1、隨著氧化時(shí)間的增加，氧化膜厚度增加，但有極限氧化膜厚度；
2、隨著氧化時(shí)間的增加，膜表面微孔密度降低，但粗糙度變大。如果氧化時(shí)間足夠長(zhǎng)，達(dá)到溶解與沉積的動(dòng)態(tài)平衡，對(duì)膜表面有一定的平整作用，表面粗糙度反而會(huì)減小。
三、氧化電壓：
1、低壓生成的膜孔徑小、孔數(shù)多，高壓使膜孔徑大，孔數(shù)少，但成膜速度快；
2、電壓過低，成膜速度小，膜層薄，膜顏色淺，硬度也低。電壓過高，易出現(xiàn)膜層局部擊穿，對(duì)膜層的耐蝕性不利。
四、電源頻率：
1、高頻時(shí)，膜生長(zhǎng)速率高，但厚度較薄。高頻下組織中非晶態(tài)相的比例遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于低頻試樣；
2、高頻下孔徑小且分布均勻，整個(gè)表面比較平整、致密。低頻下微孔孔隙大而深，且試樣極易被燒損。（內(nèi)容僅供參考，有問題或遇到問題請(qǐng)?jiān)诰€或來電咨詢，我們會(huì)竭誠(chéng)為您服務(wù)）
